EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

作者:标准资料网 时间:2024-05-18 18:16:44  浏览:8786   来源:标准资料网

【英文标准名称】:Bias-temperaturestabilitytestformetal-oxide,semiconductor,field-effecttransistors(MOSFET)(IEC62373:2006);GermanversionEN62373:2006
【原文标准名称】:金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
【标准号】:EN62373-2006
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2007-01
【实施或试行日期】:2007-01-01
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:检验设备;元部件;定义;电气工程;电子工程;电子设备及元件;场效应晶体管;极限(数学);测量设备;MOSFET;额定值;半导体器件;稳定性;温度应力;试验;试验装置;热应力;晶体管
【英文主题词】:Checkingequipment;Components;Definition;Definitions;Electricalengineering;Electronicengineering;Electronicequipmentandcomponents;Field-effecttransistors;Limits(mathematics);Measuringequipment;MOSFET;Ratings;Semiconductordevices;Stability;Temperaturestress;Testing;Testingdevices;Thermalstress;Transistors
【摘要】:
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:14P.;A4
【正文语种】:英语